Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Форм-факторM.2 22110
-
ИнтерфейсPCIe 3.0 x4 (NVMe)
-
Ёмкость накопителя1920
-
Тип памяти3D TLC
-
TBW твердотельного накопителя2733
-
Скорость последовательного чтения3000
-
Скорость последовательной записи1400
-
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)480000
-
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)42000
-
Средняя наработка на отказ2000000
