Описание
Производитель | Samsung |
Код производителя | MZ-V7S1T0BW |
Внимание | В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита. |
Назначение | внутренний |
Тип | SSD |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI-E x4 |
Поддержка NVMe | да |
Объём накопителя | 1000 Гб |
Тип флэш-памяти | TLC |
Контроллер | Samsung Phoenix |
Объём кэш памяти | 1024 Мб |
Скорость чтения | 3500 Мб/сек |
Скорость записи | 3300 Мб/сек |
Дополнительно | |
Ресурс перезаписи (TBW) | 600 ТБ |
Время наработки на отказ | 1500000 ч |
Дополнительная информация | новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной в линейке 970 EVO, благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO |
Вес | 0.2 кг |
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
НазначениеКлиентские ПК
-
МодельSamsung 970 EVO Plus
-
Форм-факторM.2 2280
-
ИнтерфейсPCIe 3.0 x4 (NVMe)
-
Ёмкость накопителя1000
-
Тип памятиMLC
-
Скорость последовательного чтения3500
-
Скорость последовательной записи3300
-
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)600000
-
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)550000
-
Средняя наработка на отказ1500000
-
TBW твердотельного накопителя600
-
Кэш-память1 GB
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.