Описание
Накопитель 970 EVO Plus обеспечивает скорость последовательного чтения/записи до 3500/3300 MБ/с соответственно, что почти на 53% выше скорости модулей серии 970 EVO. Новейшая технология V-NAND по сравнению с технологией NAND отличается более высокими скоростными характеристиками и меньшем энергопотреблении. Это обеспечивается оптимизацией прошивки, использованием проверенного контроллера Phoenix и интеллектуальной технологии Intelligent TurboWrite.
| Производитель | Samsung |
| Код производителя | MZ-V7S250BW |
| Внимание | В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита. |
| Назначение | внутренний |
| Тип | SSD |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI-E x4 |
| Объём накопителя | 250 Гб |
| Тип флэш-памяти | TLC |
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Объём кэш памяти | 512 Мб |
| Скорость чтения | 3500 Мб/сек |
| Скорость записи | 2300 Мб/сек |
| Дополнительно | |
| Ресурс перезаписи (TBW) | 150 ТБ |
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
| Дополнительная информация | новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной в линейке 970 EVO, благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO |
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
НазначениеКлиентские ПК
-
МодельSamsung 970 EVO Plus
-
Форм-факторM.2 2280
-
ИнтерфейсPCIe 3.0 x4 (NVMe)
-
Ёмкость накопителя250
-
Тип памятиMLC
-
Скорость последовательного чтения3500
-
Скорость последовательной записи2300
-
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)250000
-
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)550000
-
Средняя наработка на отказ1500000
-
TBW твердотельного накопителя150
-
Кэш-память512 MB
