Описание
Накопитель 970 EVO Plus обеспечивает скорость последовательного чтения/записи до 3500/3300 MБ/с соответственно, что почти на 53% выше скорости модулей серии 970 EVO. Новейшая технология V-NAND по сравнению с технологией NAND отличается более высокими скоростными характеристиками и меньшем энергопотреблении. Это обеспечивается оптимизацией прошивки, использованием проверенного контроллера Phoenix и интеллектуальной технологии Intelligent TurboWrite.
Производитель | Samsung |
Код производителя | MZ-V7S250BW |
Внимание | В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита. |
Назначение | внутренний |
Тип | SSD |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI-E x4 |
Объём накопителя | 250 Гб |
Тип флэш-памяти | TLC |
Контроллер | Samsung Phoenix |
Объём кэш памяти | 512 Мб |
Скорость чтения | 3500 Мб/сек |
Скорость записи | 2300 Мб/сек |
Дополнительно | |
Ресурс перезаписи (TBW) | 150 ТБ |
Время наработки на отказ | 1500000 ч |
Дополнительная информация | новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной в линейке 970 EVO, благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO |
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Тип интерфейсаPCI Express
-
Версия PCI-EPCIe 3.1 x4 w/NVMe
-
Вид устройстваВнутренний твердотельный накопитель
-
Позиционирование использованияDesktop
-
Серия продукции970 EVO Plus
-
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)Да
-
Форм-факторM.2 2280
-
Номинальный объем250
-
Объем после форматирования229.7
-
Тип памяти3D V-NAND TLC
-
Объем буфера512
-
КонтроллерSamsung Phoenix
-
Внешняя скорость передачи данных, до3940
-
Максимальная скорость чтения3500
-
Максимальная скорость записи2300
-
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)250
-
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)550
-
Среднее время наработки на отказ (MTBF)1500
-
Ударостойкость при работе1500
-
Ударостойкость при хранении1500
-
Энергопотребление при работе8
-
Ширина22
-
Высота2.38
-
Глубина80
-
Тип комплектацииRTL
-
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/ru/ssd/970-evo-plus/MZ-V7S250BW/
-
Суммарное число записываемых Байт (TBF)150
-
Тип буферной памятиDDR4
-
Поддержка Background Garbage CollectionДа
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.