SSD накопитель M.2 Samsung 970 EVO Plus 250Gb (MZ-V7S250BW)

SSD накопитель M.2 Samsung 970 EVO Plus 250Gb (MZ-V7S250BW)

Код товара: 210187578

Доступно к заказу (много)

4 988 ₽

Цена для юридических лиц: 5542 ₽

Доставкачерез 2-3 дня

Самовывозчерез 1-2 дня

Официальная гарантия от производителя - 1 год

Описание

Накопитель 970 EVO Plus обеспечивает скорость последовательного чтения/записи до 3500/3300 MБ/с соответственно, что почти на 53% выше скорости модулей серии 970 EVO. Новейшая технология V-NAND по сравнению с технологией NAND отличается более высокими скоростными характеристиками и меньшем энергопотреблении. Это обеспечивается оптимизацией прошивки, использованием проверенного контроллера Phoenix и интеллектуальной технологии Intelligent TurboWrite.

Производитель	Samsung
Код производителя	MZ-V7S250BW
Внимание	В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита.
Назначение	внутренний
Тип	SSD
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI-E x4
Объём накопителя	250 Гб
Тип флэш-памяти	TLC
Контроллер	Samsung Phoenix
Объём кэш памяти	512 Мб
Скорость чтения	3500 Мб/сек
Скорость записи	2300 Мб/сек
Дополнительно
Ресурс перезаписи (TBW)	150 ТБ
Время наработки на отказ	1500000 ч
Дополнительная информация	новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной в линейке 970 EVO, благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO

Характеристики

Производитель

Samsung
Тип интерфейса

PCI Express
Версия PCI-E

PCIe 3.1 x4 w/NVMe
Вид устройства

Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования

Desktop
Серия продукции

970 EVO Plus
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)

Да
Форм-фактор

M.2 2280
Номинальный объем

250
Объем после форматирования

229.7
Тип памяти

3D V-NAND TLC
Объем буфера

512
Контроллер

Samsung Phoenix
Внешняя скорость передачи данных, до

3940
Максимальная скорость чтения

3500
Максимальная скорость записи

2300
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)

250
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)

550
Среднее время наработки на отказ (MTBF)

1500
Ударостойкость при работе

1500
Ударостойкость при хранении

1500
Энергопотребление при работе

8
Ширина

22
Высота

2.38
Глубина

80
Тип комплектации

RTL
Ссылка на описание

https://www.samsung.com/ru/ssd/970-evo-plus/MZ-V7S250BW/
Суммарное число записываемых Байт (TBF)

150
Тип буферной памяти

DDR4
Поддержка Background Garbage Collection

Да

Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.

Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.