SSD накопитель M.2 Samsung 970 EVO Plus 1Tb (MZ-V7S1T0BW)
Описание
| Производитель | Samsung | 
| Код производителя | MZ-V7S1T0BW | 
| Внимание | В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита. | 
| Назначение | внутренний | 
| Тип | SSD | 
| Форм-фактор | M.2 | 
| Интерфейс | PCI-E x4 | 
| Поддержка NVMe | да | 
| Объём накопителя | 1000 Гб | 
| Тип флэш-памяти | TLC | 
| Контроллер | Samsung Phoenix | 
| Объём кэш памяти | 1024 Мб | 
| Скорость чтения | 3500 Мб/сек | 
| Скорость записи | 3300 Мб/сек | 
| Дополнительно | |
| Ресурс перезаписи (TBW) | 600 ТБ | 
| Время наработки на отказ | 1500000 ч | 
| Дополнительная информация | новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной в линейке 970 EVO, благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO | 
| Вес | 0.2 кг | 
Характеристики
-  
                                                        ПроизводительSamsung
-  
                                                        Тип интерфейсаPCI Express
-  
                                                        Версия PCI-EPCIe 3.1 x4 w/NVMe
-  
                                                        Вид устройстваВнутренний твердотельный накопитель
-  
                                                        Позиционирование использованияDesktop
-  
                                                        Серия продукции970 EVO Plus
-  
                                                        Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)Да
-  
                                                        Форм-факторM.2 2280
-  
                                                        Номинальный объем1000
-  
                                                        Объем после форматирования940.8
-  
                                                        Тип памяти3D V-NAND TLC
-  
                                                        Объем буфера512
-  
                                                        КонтроллерSamsung Phoenix
-  
                                                        Внешняя скорость передачи данных, до3940
-  
                                                        Максимальная скорость чтения3500
-  
                                                        Максимальная скорость записи3300
-  
                                                        Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)600
-  
                                                        Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)550
-  
                                                        Среднее время наработки на отказ (MTBF)1500
-  
                                                        Ударостойкость при работе1500
-  
                                                        Ударостойкость при хранении1500
-  
                                                        Энергопотребление при работе9
-  
                                                        Ширина22
-  
                                                        Высота2.38
-  
                                                        Глубина80
-  
                                                        Тип комплектацииRTL
-  
                                                        Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/ru/ssd/970-evo-plus/MZ-V7S1T0BW/
-  
                                                        Суммарное число записываемых Байт (TBF)600
-  
                                                        Тип буферной памятиDDR4
-  
                                                        Поддержка Background Garbage CollectionДа
 
                 
						  
 
         
         
         
         
              