Описание
Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Объем 1 модуль 32 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.2 В Количество ранков 2
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Форм-факторSO-DIMM
-
Тип памятиDDR4
-
Общий объем32
-
Объем одного модуля32
-
Количество модулей в комплекте1
-
Частота3200
-
Пропускная способностьPC4-25600
-
CAS Latency (CL)22
-
RAS to CAS Delay (tRCD)22
-
Row Precharge Delay (tRP)22
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.