Описание
- Тип поставки:один модуль 1x8Гб
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 Мб/с
- Поддержка ECC:нет
- Буферизованная:нет
- Латентность:CL22
- Тайминги:22-22-22
- Подсветка:нет
- Объем одного модуля:8 Гб
- Кол-во модулей в упаковке:1 шт.
- Общий объем памяти:8 Гб
- Напряжение питания:1.2 В
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Тип памятиDDR4
-
Показатель скоростиPC4-25600
-
Количество контактов260-pin
-
Буферизацияunbuffered
-
Форм-факторSO-DIMM
-
Тип поставкиOEM
-
Количество в упаковке1
-
Частотная спецификация3200
-
ЛатентностьCL19
-
Объем8192
-
Количество рангов (Ranks)single rank
-
PartNumber/Артикул ПроизводителяM471A1K43DB1-CWE
-
БрендSAMSUNG
-
Скорость (тест)3200МГц
-
Напряжение (тест)1.2В
-
Тип пайкиoriginal
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.