Брэнд
KINGSTON
Модель
KVR16R11D8/4
Тип
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Количество контактов
240-pin
Объем
4096 МБ
Частотная спецификация
1600
Показатель скорости
PC3-12800
Код коррекции ошибок (ECC)
поддерживается
Буферизация
registered
Контроль четности (Parity)
есть
Латентность
CL11
Тайминги
11-11-11
Напряжение
1.5 В
Максимальная потребляемая мощность
4.048 Вт

Конфигурация

Количество рангов (Ranks)
dual rank
Количество банков (Banks)
8
Организация чипов
256Mx8-bit
Организация модуля
512Mx72
Конфигурация
2Rx8

Характеристики

  • Производитель
    KINGSTON
  • Производитель
    Kingston
  • Модель
    KVR16R11D8/4
  • Количество модулей в комплекте шт
    1
  • Общий объем памяти ГБ
    4
  • Тип модуля
    DIMM
  • Частота MHz
    DDR3 - 1600
  • Пропускная способность МБ/с
    12800
  • Поддержка Reg
    Есть
  • Количество контактов
    240
  • Охлаждение
    -
  • Тайминги
    -
  • Объем одного модуля ГБ
    4
  • CAS Latency CL
    11
  • Дополнительные характеристики
    -
  • http://www.kingston.com/ru/
  • Тип оборудования
    Оперативная память

Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.

Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.

Модуль памяти Samsung DDR4 16GB RDIMM 3200MHz (M393A2K40DB3-CWE)
Модуль памяти Samsung DDR4 16GB RDIMM 3200MHz (M393A2K40DB3-CWE)
Память DDR4 Hynix HMA84GR7CJR4N-WMTG 32Gb DIMM ECC Reg PC4-23466 2933MHz
Память DDR4 Hynix HMA84GR7CJR4N-WMTG 32Gb DIMM ECC Reg PC4-23466 2933MHz
Модуль памяти Samsung DDR4 16GB RDIMM 3200MHz (M393A2K40DB3-CWE)
Модуль памяти Samsung DDR4 16GB RDIMM 3200MHz (M393A2K40DB3-CWE)
Оперативная память Kingston DDR4 KSM26RS8/16MFR 16GB 2666MHz
Оперативная память Kingston DDR4 KSM26RS8/16MFR 16GB 2666MHz