Описание
| Объем одного модуля (ГБ) | 8 | |
| описание | Память CD4-SS08G26M19-01 от компании CBR. | |
| Поддержка ECC | Нет | |
| Поддержка Reg | Нет | |
| Поддержка водяного охлаждения | Нет | |
| Подсветка | нет | |
| Производитель | CBR | |
| Пропускная способность (МБ/с) | 21300 | |
| Радиатор | Нет | |
| Тайминги | 19-19-19-43 | |
| Тип модуля | SO-DIMM | |
| Тип оборудования | Оперативная память | |
| Цвет | черный | |
| Частота (MHz) | DDR4-2666 | |
| Код производителя | CD4-SS08G26M19-01 | |
| Количество модулей в комплекте | 1 | |
| Напряжение питания | 1.2 В | |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет | |
| Объём одного модуля | 8 Гб | |
| Объём памяти | 8 Гб | |
| Система охлаждения | нет | |
| Тактовая частота | 2666 МГц | |
| Цвета, использованные в оформлении | чёрный |
Характеристики
-
ПроизводительCBR
-
ПроизводительCBR
-
МодельCD4-SS08G26M19-01
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ8
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Частота MHzDDR4 - 2666
-
Пропускная способность МБ/с21300
-
Количество контактов260
-
Охлаждение-
-
Напряжение В1.2
-
Потребление энергии-
-
Тайминги19-19-19-43
-
Дополнительная информация-
-
Чип-
-
Габариты мм-
-
Вес грамм-
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ8
-
CAS Latency CL19
-
Цветчерный
-
Количество чипов на модуле-
-
RAS to CAS Delay tRCD19
-
Row Precharge Delay tRP19
-
Activate to Precharge Delay tRAS43
-
Нормальная операционная температура Tcase-
-
Расширенная операционная температура Tcase-
-
Компоновка чипов на модуле-
-
ПамятьCD4-SS08G26M19-01 от компании CBR.
-
Высота мм-
-
Тип оборудованияОперативная память
