Описание
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.1 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Datacenter
Форм-фактор: 2.5"
Номинальный объем, ГБ: 7680
Объем после форматирования, GiB: 6024
Тип памяти: 3D NAND TLC
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 7680
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 6700
Максимальная скорость записи, МБ/с: 4000
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1100
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 200
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 2000
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Размеры:
Ширина, мм: 70.1
Высота, мм: 7
Глубина, мм: 100
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/ssd/datacenter-ssd/MZQL23T8HCJS-00A07/
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.1 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Datacenter
Форм-фактор: 2.5"
Номинальный объем, ГБ: 15360
Объем после форматирования, GiB: 12048
Тип памяти: 3D NAND TLC
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 7680
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 6700
Максимальная скорость записи, МБ/с: 4000
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1100
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 200
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 2000
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Размеры:
Ширина, мм: 70.1
Высота, мм: 7
Глубина, мм: 100
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/ssd/datacenter-ssd/MZQL23T8HCJS-00A07/
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.1 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Datacenter
Форм-фактор: 2.5"
Номинальный объем, ГБ: 7680
Объем после форматирования, GiB: 6024
Тип памяти: 3D NAND TLC
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 7680
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 6700
Максимальная скорость записи, МБ/с: 4000
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1100
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 200
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 2000
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Размеры:
Ширина, мм: 70.1
Высота, мм: 7
Глубина, мм: 100
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/ssd/datacenter-ssd/MZQL23T8HCJS-00A07/
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.1 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Datacenter
Форм-фактор: 2.5"
Номинальный объем, ГБ: 15360
Объем после форматирования, GiB: 12048
Тип памяти: 3D NAND TLC
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 7680
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 6700
Максимальная скорость записи, МБ/с: 4000
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1100
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 200
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 2000
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Размеры:
Ширина, мм: 70.1
Высота, мм: 7
Глубина, мм: 100
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/ssd/datacenter-ssd/MZQL23T8HCJS-00A07/
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Тип интерфейсаPCI Express
-
Версия PCI-EPCIe 3.1 x4 w/NVMe
-
Вид устройстваВнутренний твердотельный накопитель
-
Позиционирование использованияDatacenter
-
Форм-фактор2.5"
-
Номинальный объем15360
-
Объем после форматирования12048
-
Тип памяти3D NAND TLC
-
Внешняя скорость передачи данных, до7680
-
Максимальная скорость чтения6700
-
Максимальная скорость записи4000
-
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)1100
-
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)200
-
Среднее время наработки на отказ (MTBF)2000
-
Ударостойкость при работе1500
-
Ударостойкость при хранении1500
-
Ширина70.1
-
Высота7
-
Глубина100
-
Тип комплектацииRTL
-
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/semiconductor/ssd/datacenter-ssd/MZQL23T8HCJS-00A07/
