Модуль памяти Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz (M386A8K40DM2-CWE)
Нет в наличииОписание
-
Форм-факторLRDIMM
-
Объем одного модуля64 ГБ
-
Количество модулей в комплекте1 шт
-
Суммарный объем64 ГБ
-
Эффективная частота3200 МГц
-
Пропускная способность25600 Мб/с
-
Поддержка ECCЕсть
-
Буферизованная (регистровая)Есть
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество контактов288
-
CAS Latency (CL)22
-
Напряжение питания1.2 В
-
Нормальная операционная температура (Tcase)75 °C
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
ПроизводительSamsung
-
МодельM386A8K40DM2-CWE
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ64
-
Тип модуляDIMM
-
Частота MHzDDR3 - 3200
-
Пропускная способность МБ/с25600
-
Поддержка RegЕсть
-
Поддержка ECCЕсть
-
Количество контактов288
-
Охлаждение-
-
Напряжение В1.2
-
Дополнительная информация-
-
Тайминги-
-
Чип-
-
Габариты мм-
-
Высота мм-
-
Вес грамм-
-
Основные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ64
-
CAS Latency CL22
-
RAS to CAS Delay tRCD-
-
Row Precharge Delay tRP-
-
Дополнительные характеристики-
-
ЦветКомбинированный
-
Нормальная операционная температура Tcase75 °C
-
Расширенная операционная температура Tcase85 °C
-
Линейка-
-
Количество чипов на модуле-
-
Activate to Precharge Delay tRAS-
-
Потребление энергии-
-
http://www.samsung.com/
-
Тип оборудованияОперативная память
