Описание
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 500
Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC
Тип буферной памяти: HMB
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3100
Максимальная скорость записи, МБ/с: 2600
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 400
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 470
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 300
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт, max: 4.3
Размеры:
Ширина, мм: 80.15
Высота, мм: 22.15
Глубина, мм: 2.4
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/980-pcie-3-0-nvme-gaming-ssd-500gb-mz-v8v500b-am/
Комплект поставки: Накопитель, документация
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 500
Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC
Тип буферной памяти: HMB
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3100
Максимальная скорость записи, МБ/с: 2600
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 400
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 470
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 300
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт, max: 4.3
Размеры:
Ширина, мм: 80.15
Высота, мм: 22.15
Глубина, мм: 2.4
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/980-pcie-3-0-nvme-gaming-ssd-500gb-mz-v8v500b-am/
Комплект поставки: Накопитель, документация
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Тип интерфейсаPCI Express
-
Вид устройстваВнутренний твердотельный накопитель
-
Позиционирование использованияDesktop
-
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)Да
-
Форм-факторM.2 2280
-
Номинальный объем500
-
Тип памятиV-NAND 3-bit MLC
-
Максимальная скорость чтения3100
-
Максимальная скорость записи2600
-
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)400
-
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)470
-
Среднее время наработки на отказ (MTBF)1500
-
Суммарное число записываемых Байт (TBF)300
-
Ударостойкость при работе1500
-
Ударостойкость при хранении1500
-
Энергопотребление при работе4.3
-
Ширина80.15
-
Высота22.15
-
Глубина2.4
-
Тип комплектацииRTL
-
Версия PCI-EPCIe 3.0 x4 w/NVMe
-
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/980-pcie-3-0-nvme-gaming-ssd-500gb-mz-v8v500b-am/
-
Тип буферной памятиHMB
-
Комплект поставкиНакопитель, документация
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.