Описание
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Серия продукции: 990 Pro
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: 2.5"
Номинальный объем, ГБ: 4000
Тип памяти: V-NAND TLC
Объем буфера, МБ: 4096
Тип буферной памяти: DDR4L
Контроллер: Samsung
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 7876
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450
Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1600
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1550
Поддержка Background Garbage Collection: Да
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 2400
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт, max: 6.5
Размеры:
Ширина, мм: 80
Высота, мм: 2.3
Глубина, мм: 22
Особенности: TRIM, S.M.A.R.T.
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie-4-0-nvme-ssd-4tb-mz-v9p4t0b-am/
Комплект поставки: Накопитель, документация
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Серия продукции: 990 Pro
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: 2.5"
Номинальный объем, ГБ: 4000
Тип памяти: V-NAND TLC
Объем буфера, МБ: 4096
Тип буферной памяти: DDR4L
Контроллер: Samsung
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 7876
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450
Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1600
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1550
Поддержка Background Garbage Collection: Да
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 2400
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт, max: 6.5
Размеры:
Ширина, мм: 80
Высота, мм: 2.3
Глубина, мм: 22
Особенности: TRIM, S.M.A.R.T.
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie-4-0-nvme-ssd-4tb-mz-v9p4t0b-am/
Комплект поставки: Накопитель, документация
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Тип интерфейсаPCI Express
-
Вид устройстваВнутренний твердотельный накопитель
-
Позиционирование использованияDesktop
-
Серия продукции990 Pro
-
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)Да
-
Форм-фактор2.5"
-
Номинальный объем4000
-
Тип памятиV-NAND TLC
-
КонтроллерSamsung
-
Внешняя скорость передачи данных, до7876
-
Максимальная скорость чтения7450
-
Максимальная скорость записи6900
-
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)1600
-
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)1550
-
Среднее время наработки на отказ (MTBF)1500
-
Суммарное число записываемых Байт (TBF)2400
-
Ударостойкость при работе1500
-
Ударостойкость при хранении1500
-
Энергопотребление при работе6.5
-
Ширина80
-
Высота2.3
-
Глубина22
-
Тип комплектацииRTL
-
Версия PCI-EPCIe 4.0 x4 w/NVMe
-
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie-4-0-nvme-ssd-4tb-mz-v9p4t0b-am/
-
Объем буфера4096
-
Тип буферной памятиDDR4L
-
ОсобенностиTRIM, S.M.A.R.T.
-
Комплект поставкиНакопитель, документация
-
Поддержка Background Garbage CollectionДа
