Твердотельный накопитель samsung MZ-V9P1T0CW

Код товара: 210378661

Нет в наличии

Официальная гарантия от производителя - 1 год

Описание

Форм-фактор SSD:M.2
Тип памяти:V-NAND TLC
Объем SSD:1000 Гб
Интерфейс подключения:PCI-E 4.0 x4
Наличие буфера:да
Скорость чтения до:7450 Мб/с

Характеристики

Производитель

Samsung
Тип интерфейса

PCI Express
Вид устройства

Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования

Desktop
Серия продукции

990 PRO
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)

Да
Форм-фактор

M.2 2280
Номинальный объем

1000
Тип памяти

V-NAND 3-bit MLC
Внешняя скорость передачи данных, до

7877
Максимальная скорость чтения

7450
Максимальная скорость записи

6900
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)

1200
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)

1550
Среднее время наработки на отказ (MTBF)

1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF)

600
Ударостойкость при работе

1500
Ударостойкость при хранении

1500
Энергопотребление при работе

7.8
Ширина

80
Высота

22
Глубина

2.3
Тип комплектации

RTL
Версия PCI-E

PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Ссылка на описание

https://www.samsung.com/sg/memory-storage/nvme-ssd/990-pro-1tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9p1t0bw/
Объем буфера

1024
Тип буферной памяти

DDR4
Особенности

Поддержка TRIM, S.M.A.R.T.
Комплект поставки

Накопитель, инструкция
Поддержка Background Garbage Collection

Да

Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.

Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.