M.2 2280 1TB Samsung 990 PRO Black Client SSD MZ-V9P1T0B/AM PCI-E 4.0 x4, V-NAND 3-bit MLC, 7450/6900, 600TBW
Описание
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Серия продукции: 990 PRO
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 1000
Тип памяти: 3D V-NAND MLC
Объем буфера, МБ: 1024
Тип буферной памяти: DDR4
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450
Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1200
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1550
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 600
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт, max: 7.8
Размеры:
Ширина, мм: 80
Высота, мм: 2.3
Глубина, мм: 22
Ссылки на публикации: https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie--4-0-nvme--ssd-1tb-mz-v9p1t0b-am/
Комплект поставки: Накопитель, документация
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Серия продукции: 990 PRO
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 1000
Тип памяти: 3D V-NAND MLC
Объем буфера, МБ: 1024
Тип буферной памяти: DDR4
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450
Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1200
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1550
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 600
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт, max: 7.8
Размеры:
Ширина, мм: 80
Высота, мм: 2.3
Глубина, мм: 22
Ссылки на публикации: https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie--4-0-nvme--ssd-1tb-mz-v9p1t0b-am/
Комплект поставки: Накопитель, документация
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Тип интерфейсаPCI Express
-
Вид устройстваВнутренний твердотельный накопитель
-
Позиционирование использованияDesktop
-
Серия продукции990 PRO
-
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)Да
-
Форм-факторM.2 2280
-
Номинальный объем1000
-
Тип памяти3D V-NAND MLC
-
Максимальная скорость чтения7450
-
Максимальная скорость записи6900
-
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)1200
-
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)1550
-
Среднее время наработки на отказ (MTBF)1500
-
Суммарное число записываемых Байт (TBF)600
-
Ударостойкость при хранении1500
-
Энергопотребление при работе7.8
-
Ширина80
-
Высота2.3
-
Глубина22
-
Ссылки на публикацииhttps://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie--4-0-nvme--ssd-1tb-mz-v9p1t0b-am/
-
Версия PCI-EPCIe 4.0 x4 w/NVMe
-
Объем буфера1024
-
Тип буферной памятиDDR4
-
Комплект поставкиНакопитель, документация
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.