32GB Samsung DDR4 M393A4K40CB2-CVFBQ 2933MHz 2Rx4 DIMM Registred ECC
Описание
Серия продукции: M393
Тип памяти: Registred
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 36
Количество ранков: 2
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Наличие радиатора: Нет
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Глубина, мм: 4.2
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2019/03/DDR4_8Gb_C_die_Registered_DIMM_Rev1.5_Feb.19_10089296104316.pdf
Комплект поставки: Инструкция
Тип памяти: Registred
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 36
Количество ранков: 2
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Наличие радиатора: Нет
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Глубина, мм: 4.2
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2019/03/DDR4_8Gb_C_die_Registered_DIMM_Rev1.5_Feb.19_10089296104316.pdf
Комплект поставки: Инструкция
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Серия продукцииM393
-
Тип памятиRegistred
-
Форм-факторDIMM
-
Стандарт памятиDDR4
-
Объем одного модуля32
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем32
-
Эффективная частота2933
-
Пропускная способность23400
-
Поддержка ECCДа
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество чипов на модуле36
-
Количество контактов288
-
CAS Latency (CL)21
-
RAS to CAS Delay (tRCD)21
-
Row Precharge Delay (tRP)21
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)44
-
Напряжение питания1.2
-
Нормальная операционная температура85
-
Расширенная операционная температура95
-
Ширина133.35
-
Высота31.25
-
Вид поставкиOEM
-
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2019/03/DDR4_8Gb_C_die_Registered_DIMM_Rev1.5_Feb.19_10089296104316.pdf
-
Наличие радиатораНет
-
Комплект поставкиИнструкция
-
Количество ранков2
-
Глубина4.2
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.