Описание
| Производитель | Innodisk |
| Код производителя | M4D0-BGM2QEEM |
| Тип памяти | DDR4 SO-DIMM |
| Объём памяти | 32 Гб |
| Объём одного модуля | 32 Гб |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Тактовая частота | 3200 МГц |
| Пропускная способность | 25600 Мб/с |
| Поддержка ECC | да |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 22 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 46 |
| Дополнительно | |
| Напряжение питания | 1.2 В |
Характеристики
-
ПроизводительInnodisk
-
Тип памятиRegistred
-
Форм-факторSODIMM
-
Стандарт памятиDDR4
-
Объем одного модуля32
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем32
-
Эффективная частота3200
-
Пропускная способность25600
-
Поддержка ECCДа
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество чипов на модуле18
-
Количество контактов260
-
CAS Latency (CL)22
-
RAS to CAS Delay (tRCD)22
-
Row Precharge Delay (tRP)22
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)46
-
Напряжение питания1.2
-
Нормальная операционная температура125
-
Ширина69.6
-
Высота30
-
Вид поставкиOEM
-
Ссылка на описаниеhttps://www.innodisk.com/ru/products/dram-module/wide-temperature/ultra_temperature_w_ecc_ddr4_sodimm
-
Наличие радиатораНет
-
ОсобенностиРабочая температура - от -40°C до +125°C
-
Комплект поставкиМодуль памяти
-
Количество ранков2
