Производитель Gigabyte
Код производителя GP-ASACNE2100TTTDR
Назначение внутренний
Тип  SSD
Интерфейс  PCI-E x4
Объём накопителя  1000 Гб
Тип флэш-памяти  TLC
Скорость чтения  3480 Мб/сек
Скорость записи  3080 Мб/сек
Дополнительно
Время наработки на отказ 1800000 ч

Характеристики

  • Производитель
    GIGABYTE

Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.

Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.

DEMSR-C12DK1EC1QF [DEMSR-C12DK1EC1QF]
DEMSR-C12DK1EC1QF [DEMSR-C12DK1EC1QF]
SSD накопитель Samsung 870 EVO 2Tb (MZ-77E2T0BW)
SSD накопитель Samsung 870 EVO 2Tb (MZ-77E2T0BW)
SSD накопитель Samsung 2Tb MZ-V7S2T0B/AM
SSD накопитель Samsung 2Tb MZ-V7S2T0B/AM
Твердотельный накопитель Netac 2TB (NT01NV7000-2T0-E4X)
Твердотельный накопитель Netac 2TB (NT01NV7000-2T0-E4X)