Описание
Производитель | Samsung |
Код производителя | MZ-V7S1T0BW |
Внимание | В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита. |
Назначение | внутренний |
Тип | SSD |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI-E x4 |
Поддержка NVMe | да |
Объём накопителя | 1000 Гб |
Тип флэш-памяти | TLC |
Контроллер | Samsung Phoenix |
Объём кэш памяти | 1024 Мб |
Скорость чтения | 3500 Мб/сек |
Скорость записи | 3300 Мб/сек |
Дополнительно | |
Ресурс перезаписи (TBW) | 600 ТБ |
Время наработки на отказ | 1500000 ч |
Дополнительная информация | новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной в линейке 970 EVO, благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO |
Вес | 0.2 кг |
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Основные характеристики-
-
ПроизводительSamsung
-
МодельMZ-V7S1T0BW
-
Объем Гб1000
-
Тип оборудованияSSD для персональных компьютеров
-
Интерфейс, разъемы и выходы-
-
Интерфейс SSDPCI-Express
-
Совместимость-
-
Формат накопителяM.2
-
Параметры производительности-
-
Скорость чтения Мб/с3500
-
Скорость записи Мб/с3300
-
Серия970 EVO Plus
-
Комплект поставки и опции-
-
Конфигурация-
-
Тип чипов3D TLC Triple Level Cell V-NAND 96-слойная
-
КонтроллерSamsung Phoenix
-
Питание-
-
Потребительские свойства-
-
Прочие характеристики-
-
MTBF1.5 млн. часов
-
Логистика-
-
Внешние источники информации-
-
Пропускная способность интерфейса Мб/с8000
-
Поддержка TRIMЕсть
-
IOmeter, скорость записи 4Кб файлов, глубина очереди=32550000 IOPS
-
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕДля сервера данный накопитель не подходит из-за недостаточного ресурса! Накопитель под нагрузкой сильно нагревается. Необходимо продуманное охлаждение системного блока.
-
Ресурс SSD600 TBW
-
Background Garbage CollectionПоддерживается
-
ПО в комплектеSamsung Magician скачивайте с сайта Samsung
-
Комплект поставкиSSD
-
Потребление энергии Вт6
-
Отличительная особенность-
-
Максимальные перегрузки1500G длительностью 0.5 мс
-
Размеры ширина x высота x глубина22 x 80 x 2 мм M.2 односторонний
-
Вес грамм8
-
Рабочая температура0 ~ 70°C
-
Размеры упаковки14.4 x 9.8 x 2.2 см
-
Вес брутто грамм79
-
Пропускная способность интерфейса Гбит/с8
-
Техпроцесс-
-
Дополнительная информация-
-
Горячая линия производителя-
-
Тип интерфейса NAND Flash памяти-
-
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ2-
-
http://www.samsung.com/
-
Протокол NVMe-
-
Форм-фактор M.2-
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.