Samsung DDR4 4GB UNB SODIMM 2666, 1.2V
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Форм-факторSO-DIMM
-
Тип памятиDDR4
-
Общий объем4
-
Объем одного модуля4
-
Количество модулей в комплекте1
-
Частота2666
-
Пропускная способностьPC4-21300
-
CAS Latency (CL)17
-
RAS to CAS Delay (tRCD)17
-
Row Precharge Delay (tRP)17
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.