Память оперативная samsung DDR5 M323R2GA3DB0-CWM
Описание
- Назначение:для системного блока
- Тип поставки:один модуль 1x16Гб
- Тип памяти:DDR5
- Форм-фактор:DIMM 288-контактный
- Тактовая частота:5600 МГц
- Пропускная способность:44800 Мб/с
- Поддержка ECC:нет
- Буферизованная:нет
- Латентность:CL46
- Подсветка:нет
- Объем одного модуля:16 Гб
- Кол-во модулей в упаковке:1 шт.
- Общий объем памяти:16 Гб
- Напряжение питания:1.1 В
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Основные характеристики-
-
ПроизводительSamsung
-
Линейка-
-
МодельM323R2GA3DB0-CWM
-
Частота MHzDDR5 - 5600
-
Тип модуляDIMM
-
Объем одного модуля ГБ16
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ16
-
Пропускная способность МБ/с44800
-
Количество контактов288
-
Тайминги46
-
CAS Latency CL46
-
RAS to CAS Delay tRCD-
-
Row Precharge Delay tRP-
-
Activate to Precharge Delay tRAS-
-
Охлаждение-
-
Дополнительные характеристики-
-
Цветзеленый
-
Напряжение В1.1
-
Количество чипов на модуле8
-
Нормальная операционная температура Tcase-
-
Расширенная операционная температура Tcase-
-
Чип2Gb x 8-bit
-
Потребление энергии-
-
Габариты мм-
-
Высота мм-
-
Вес грамм-
-
Дополнительная информация-
-
Оперативная память M323R2GA3DB0-CWM от Samsung
-
Компоновка чипов на модулеОдносторонняя
-
Тип оборудованияОперативная память
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.