Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (SP004GBSFU266N02)

Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (SP004GBSFU266N02)

Код товара: 210247317
Нет наличииНет в наличии

Официальная гарантия от производителя - 1 год
Количество модулей в комплекте
1 шт.
Объем одного модуля
4 ГБ
Тип
DDR4 SODIMM 260-pin
Тактовая частота
2666 МГц
Тайминги
19
Напряжение питания
1.2 В
Пропускная способность
PC21300

Характеристики

  • Производитель
    SILICON_POWER
  • Тип памяти
    DDR4
  • Показатель скорости
    PC4-21300
  • Количество контактов
    260-pin
  • Буферизация
    unbuffered
  • Форм-фактор
    SO-DIMM
  • Тип поставки
    Ret
  • Количество в упаковке
    1
  • Частотная спецификация
    2666
  • Латентность
    CL19
  • Объем
    4096
  • Количество рангов (Ranks)
    single rank
  • PartNumber/Артикул Производителя
    SP004GBSFU266N02
  • Бренд
    SILICON POWER
  • Скорость (тест)
    2666МГц
  • Напряжение (тест)
    1.2В
  • Модель
    SP004GBSFU266N02
  • Ссылка на сайт поставщика/вендора
    https://www.silicon-power.com/web/by/product-DDR4_SODIMM

Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.

Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.

Оперативная память SO-DIMM AMD DDR3 8Gb 1600MHz (R538G1601S2SL-U)
Оперативная память SO-DIMM AMD DDR3 8Gb 1600MHz (R538G1601S2SL-U)
Память DIGMA DDR4 8Gb 3200MHz PC4-25600 (DGMAS43200008S)
Память DIGMA DDR4 8Gb 3200MHz PC4-25600 (DGMAS43200008S)
Оперативная память DIGMA DDR4 8Gb (DGMAS42666008D)
Оперативная память DIGMA DDR4 8Gb (DGMAS42666008D)
Модуль памяти Netac Basic SO 4GB DDR3L-160 (NTBSD3N16SP-04)
Модуль памяти Netac Basic SO 4GB DDR3L-160 (NTBSD3N16SP-04)