Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (SP004GBSFU266N02)

Код товара: 210247317

Нет в наличии

Официальная гарантия от производителя - 1 год

Описание

Количество модулей в комплекте	1 шт.
Объем одного модуля	4 ГБ
Тип	DDR4 SODIMM 260-pin
Тактовая частота	2666 МГц
Тайминги	19
Напряжение питания	1.2 В
Пропускная способность	PC21300

Характеристики

Производитель

SILICON_POWER
Тип памяти

DDR4
Показатель скорости

PC4-21300
Количество контактов

260-pin
Буферизация

unbuffered
Форм-фактор

SO-DIMM
Тип поставки

Ret
Количество в упаковке

1
Частотная спецификация

2666
Латентность

CL19
Объем

4096
Количество рангов (Ranks)

single rank
PartNumber/Артикул Производителя

SP004GBSFU266N02
Бренд

SILICON POWER
Скорость (тест)

2666МГц
Напряжение (тест)

1.2В
Модель

SP004GBSFU266N02
Ссылка на сайт поставщика/вендора

https://www.silicon-power.com/web/by/product-DDR4_SODIMM

Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.

Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.