Модуль памяти Silicon Power SP004GBLFU266N02 DDR4 - 4ГБ 2666
Нет в наличииОписание
Общие характеристики
Брэнд
SILICON POWER
Модель
SP004GBLFU266N02
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Объем модуля
4 ГБ
Количество контактов
260-pin
Показатель скорости
PC4-21300
Буферизация
unbuffered
Поддержка ECC
не поддерживается
Тестовые характеристики
Скорость
2666МГц
Напряжение
1.2В
Латентность
CL19
Конструкция
Радиатор охлаждения
нет
Тип поставки
Ret
Характеристики
-
ПроизводительSILICON_POWER
-
Количество контактов260-pin
-
Буферизацияunbuffered
-
Форм-факторDIMM
-
Количество в упаковке1
-
Тип памятиDDR4
-
ЛатентностьCL19
-
Объем4096
-
Частотная спецификация2666
-
Тип поставкиRet
-
Показатель скоростиPC4-21300
-
Количество рангов (Ranks)single rank
-
PartNumber/Артикул ПроизводителяSP004GBLFU266N02
-
БрендSILICON POWER
-
Скорость (тест)2666МГц
-
Напряжение (тест)1.2В
-
МодельSP004GBLFU266N02
-
Ссылка на сайт поставщика/вендораhttps://www.silicon-power.com/web/by/product-DDR4_UDIMM
