Модуль памяти Silicon Power SP004GBLFU266N02 DDR4 - 4ГБ 2666
Нет в наличииОписание
Общие характеристики
Брэнд
SILICON POWER
Модель
SP004GBLFU266N02
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Объем модуля
4 ГБ
Количество контактов
260-pin
Показатель скорости
PC4-21300
Буферизация
unbuffered
Поддержка ECC
не поддерживается
Тестовые характеристики
Скорость
2666МГц
Напряжение
1.2В
Латентность
CL19
Конструкция
Радиатор охлаждения
нет
Тип поставки
Ret
Характеристики
-
ПроизводительSILICON_POWER
-
ПроизводительSilicon Power
-
МодельSP004GBLFU266N02
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ4
-
Тип модуляDIMM
-
Частота MHzDDR4 - 2666
-
Пропускная способность МБ/с21300
-
Количество контактов288
-
Напряжение В1.2
-
Тайминги-
-
Высота мм-
-
Чип-
-
Габариты мм-
-
Дополнительная информация-
-
Вес грамм-
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ4
-
Линейка-
-
CAS Latency CL19
-
RAS to CAS Delay tRCD-
-
Row Precharge Delay tRP-
-
Нормальная операционная температура Tcase75
-
Расширенная операционная температура Tcase85
-
ЦветКомбинированный
-
Количество чипов на модуле-
-
Activate to Precharge Delay tRAS-
-
Компоновка чипов на модулеДвусторонняя
-
http://www.silicon-power.com/
-
Потребление энергии-
-
Тип оборудованияОперативная память
