Оперативная память Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4 GB 1 шт.
Описание
Общие характеристики
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM 260-контактный
Тактовая частота
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Объем
1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
4, односторонняя упаковка
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
1
Характеристики
-
ПроизводительHynix
-
Тип памятиDDR4
-
Показатель скоростиPC4-21300
-
Количество контактов260-pin
-
Буферизацияunbuffered
-
Форм-факторSO-DIMM
-
Тип поставкиOEM
-
Количество в упаковке1
-
Частотная спецификация2666
-
ЛатентностьCL19
-
Объем4096
-
Количество рангов (Ranks)single rank
-
PartNumber/Артикул ПроизводителяHMA851S6CJR6N-VKN0
-
БрендHYNIX
-
Скорость (тест)2666МГц
-
Напряжение (тест)1.2В
-
Задержка (тест)19-19-19
-
МодельHMA851S6CJR6N-VKN0
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.