Модуль памяти Silicon Power SP008GBSFU266B02 DDR4 - 8ГБ 2666, SO-DIMM, Ret
Описание
Объем:
1х 8ГБ;
Частота:
2666МГц;
Латентность:
CL19;
Форм-фактор:
SO-DIMM, 260-pin;
Тип поставки:
Ret
Характеристики
-
ПроизводительSILICON_POWER
-
ПроизводительSilicon Power
-
МодельSP008GBSFU266B02
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ8
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Частота MHzDDR4 - 2666
-
Пропускная способность МБ/с21300
-
Поддержка RegНет
-
Поддержка ECCНет
-
Количество контактов260
-
Охлаждение-
-
Напряжение В1.2
-
Тайминги-
-
Дополнительная информациянет
-
РадиаторНет
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ8
-
Низкопрофильнаянет
-
CAS Latency CL19
-
Поддержка водяного охлаждениянет
-
Цветкомбинированная расцветка
-
Подсветканет
-
Нормальная операционная температура Tcase75
-
Расширенная операционная температура Tcase85
-
Линейканет
-
http://www.silicon-power.com//web/us/
-
Тип оборудованияПамять
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.