Описание
-
Форм-факторLRDIMM
-
Объем одного модуля64 ГБ
-
Количество модулей в комплекте1 шт
-
Суммарный объем64 ГБ
-
Эффективная частота3200 МГц
-
Пропускная способность25600 Мб/с
-
Поддержка ECCЕсть
-
Буферизованная (регистровая)Есть
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество контактов288
-
CAS Latency (CL)22
-
Напряжение питания1.2 В
-
Нормальная операционная температура (Tcase)75 °C
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Тип памятиRegistred
-
Форм-факторDIMM
-
Стандарт памятиDDR4
-
Объем одного модуля64
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем64
-
Эффективная частота3200
-
Пропускная способность25600
-
Поддержка ECCДа
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество чипов на модуле36
-
Количество контактов288
-
Напряжение питания1.2
-
Нормальная операционная температура85
-
Ширина133.35
-
Высота31.25
-
Вид поставкиOEM
-
Ссылка на описаниеhttps://semiconductor.samsung.com/dram/module/lrdimm/m386a8k40dm2-cwe/
-
Наличие радиатораНет
-
Комплект поставкиМодуль памяти
-
Количество ранков4
-
Наличие термосенсораДа
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.