4GB Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE Non-ECC, CL22, 1.2V, 1Rx16, 512x64, Bulk, {75}

Код товара: 210244497

Нет в наличии

Официальная гарантия от производителя - 1 год

Описание

Серия продукции: M471
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: SODIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 4
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 4
Эффективная частота, МГц: 3200
Пропускная способность, Мб/с: 25600
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 4
Количество контактов: 260
CAS Latency (CL): 22
RAS to CAS Delay (tRCD): 22
Row Precharge Delay (tRP): 22
Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M471A5244CB0-CWE/

Характеристики

Производитель

Samsung
Серия продукции

M471
Тип памяти

Unbuffered
Форм-фактор

SODIMM
Стандарт памяти

DDR4
Объем одного модуля

4
Количество модулей в комплекте

1
Суммарный объем

4
Эффективная частота

3200
Пропускная способность

25600
Поддержка ECC

Нет
Низкопрофильная

Нет
Количество чипов на модуле

4
Количество контактов

260
CAS Latency (CL)

22
RAS to CAS Delay (tRCD)

22
Row Precharge Delay (tRP)

22
Activate to Precharge Delay (tRAS)

44
Напряжение питания

1.2
Нормальная операционная температура

85
Расширенная операционная температура

95
Ширина

133.35
Высота

31.25
Вид поставки

OEM
Ссылка на описание

https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M471A5244CB0-CWE/

Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.

Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.