• Объем: 4096 МБ;
  • Латентность: CL22;
  • Тайминги: 22-22-22-52;
  • Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin;
  • Тип поставки: Ret;

Характеристики

  • Производитель
    AMD
  • Тип памяти
    Unbuffered
  • Форм-фактор
    DIMM
  • Стандарт памяти
    DDR4
  • Объем одного модуля
    4
  • Количество модулей в комплекте
    1
  • Суммарный объем
    4
  • Эффективная частота
    3200
  • Пропускная способность
    25600
  • Поддержка ECC
    Нет
  • Низкопрофильная
    Нет
  • Количество чипов на модуле
    8
  • Количество контактов
    260
  • CAS Latency (CL)
    16
  • RAS to CAS Delay (tRCD)
    18
  • Row Precharge Delay (tRP)
    18
  • Activate to Precharge Delay (tRAS)
    39
  • Напряжение питания
    1.2
  • Нормальная операционная температура
    85
  • Расширенная операционная температура
    95
  • Ширина
    133.35
  • Высота
    32
  • Вид поставки
    RTL
  • Наличие радиатора
    Да
  • Цвет радиатора
    Черный

Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.

Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.

Память AMD DDR4 4Gb 2133MHz (R744G2133U1S-U)
Память AMD DDR4 4Gb 2133MHz (R744G2133U1S-U)
Оперативная память CBR DDR4 DIMM (CD4-US08G26M19-01)
Оперативная память CBR DDR4 DIMM (CD4-US08G26M19-01)
Оперативная память CBR DDR3 8GB 1600MHz (CD3-US08G16M11-01)
Оперативная память CBR DDR3 8GB 1600MHz (CD3-US08G16M11-01)
Оперативная память Netac Basic DDR3 4GB 1600MHz (NTBSD3P16SP-04)
Оперативная память Netac Basic DDR3 4GB 1600MHz (NTBSD3P16SP-04)